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J-GLOBAL ID：201702247368137751   整理番号：17A0538526

新しい不揮発性メモリーの耐炎性に関する研究の進展【JST・京大機械翻訳】

Research progress of the radiation response of new non-volatile RAMs

著者 (4件)： Liu Yang (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Device,University of Electronic Science and Technology of China) ,  Gu Ke (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Device,University of Electronic Science and Technology of China) ,  Li Ping (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Device,University of Electronic Science and Technology of China) ,  Li Wei (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Device,University of Electronic Science and Technology of China)
資料名： Tai Hezi Kexue Yudianzi Xinxi Xuebao  (Tai Hezi Kexue Yudianzi Xinxi Xuebao)
巻： 14  号： 6  ページ： 966-971  発行年： 2016年 
JST資料番号： C3004A  ISSN： 2095-4980  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 強誘電メモリ,磁気ランダムメモリ,相変化メモリ,および抵抗メモリの4種類の不揮発性メモリの耐放射性を研究することによって,不揮発性メモリの全線量効果と単一粒子効果をまとめた。全線量効果と単一粒子効果について比較と分析を行い、現在の新型不揮発性メモリの耐放射線能力は依然としてメモリーユニット以外の相補金属酸化物半導体(CMOS)周辺回路の耐放射線能力この結論は,不揮発性不揮発性メモリーの研究のための参照を提供する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 放射線 ,  *耐火性 ,  *非揮発性 ,  *記憶装置 ,  放射線量 ,  磁気 ,  *不揮発性メモリ ,  CMOS
準シソーラス用語： 周辺回路 ,  酸化物半導体 ,  抵抗メモリ ,  相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： non-volatile Random Access Memory ,  radiation effects ,  total dose effects ,  single event effects ,  radiation hardening

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不揮発性メモリー ,  耐炎性 ,  研究 ,  進展