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J-GLOBAL ID：201702247378101645   整理番号：17A0365904

ナノサイズBi_2O_3を添加した(Bi, Pb)- 2223/Ag超伝導体テープの増強された輸送臨界電流密度【Powered by NICT】

Enhanced transport critical current density of (Bi, Pb)-2223/Ag superconductor tapes added with nano-sized Bi₂O₃

著者 (5件)： Yahya Nabil A.A. (Department of Physics, Thamar University, Thamar, Yemen) ,  Al-Sharabi Annas (Department of Physics, Thamar University, Thamar, Yemen) ,  Suib Nurul Raihan Mohd (School of Applied Physics, Universiti Kebangsaan Malaysia, 43600 Bangi, Selangor, Malaysia) ,  Chiu W.S. (Low Dimensional Materials Research Centre, Department of Physics, University of Malaya, 50603 Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Abd-Shukor R. (School of Applied Physics, Universiti Kebangsaan Malaysia, 43600 Bangi, Selangor, Malaysia)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 16  ページ： 18347-18351  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 出発組成(Bi, Pb) 2223(Bi_2O_3)0.01Agシース超伝導体テープを調製した。平均サイズ150nmのBi_2O_3は本研究で使用した。Bi_2O_3量は添加を0.01wt%の最適超伝導特性を示すナノサイズBi_2O_3添加ペレットの初期研究に基づいて選択した。非添加テープも比較のために調製した。テープを,X線回折法,走査型電子顕微鏡および輸送臨界電流密度,J_C測定(30~77K)で調べた。テープの表面に平行および垂直な印加磁場(77Kで0 0 0.75T)下でJ_Cに及ぼす種々の焼結時間(50年,100年,および150時間)の影響も調べた。添加テープのJ_は無添加テープと比較して有意に増加することが分かった。150h焼結したBi_2O_3添加テープは100hで焼結した無添加テープの19,400cm~2と比較して,30Kで57,900cm~2で最高のJ_を示した。ナノBi_2O_3添加による結晶粒間磁束ピン止めと連結性の改善は,Jの増大をもたらした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  結晶粒 ,  *超伝導 ,  磁束ピン止め ,  ペレット ,  *超伝導体 ,  連結性 ,  X線回折分析 ,  焼結 ,  *臨界電流密度
準シソーラス用語： 焼結時間 ,  印加磁場 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ナノサイズBi_2O_3 ,  磁束ピン止め中心 ,  Microstructure ,  輸送臨界電流密度

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (9件)： ナノサイズ ,  Bi ,  Pb ,  Ag ,  超伝導体 ,  テープ ,  増強 ,  輸送 ,  臨界電流密度