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J-GLOBAL ID：201702247383992816   整理番号：17A0014081

グラフェン電界効果トランジスタのヒステリシス挙動における電荷捕獲機構における2つの時間尺度

The two timescales in the charge trapping mechanism for the hysteresis behavior in graphene field effect transistors

著者 (8件)： Mao Da-cheng (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Shao-qing (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Peng Song-ang (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zhang Da-yong (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Shi Jing-yuan (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Huang Xin-nan (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Asif Muhammad (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Jin Zhi (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27  号： 9  ページ： 9847-9852  発行年： 2016年09月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン電界効果トランジスタの伝達特性曲線におけるヒステリシス現象を理解することは,新しいグラフェン系センサ及びメモリデバイスを開発する上で重要である。充放電法を通してヒステリシスを調べ,捕獲機構における異なる時間尺度を持つ2つの時定数が存在することを見出した。0.68秒の時定数を持つ界面での速い捕獲と23.85秒の時定数を持つバルク酸化物の遅い捕獲をここで提示した。界面捕獲密度とゲート電圧間の線形関係を特定することによって,捕獲された電荷の放出は,電圧の極性スイッチではなくゲート電圧の大きさの減少によって決定されることも見出した。この知見に基づいて,充電時間の短い双抵抗状態メモリプロトタイプを最後に実現した。Copyright 2016 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *グラフェン ,  *ヒステリシス ,  キャリア捕獲 ,  経時変化 ,  電流電圧特性 ,  捕獲 ,  時定数 ,  界面 ,  ゲート【半導体】 ,  線形性 ,  プロトタイプ
準シソーラス用語： 時間尺度 ,  電荷捕獲 ,  電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  ヒステリシス ,  挙動 ,  電荷捕獲 ,  時間尺度