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J-GLOBAL ID：201702247429852479   整理番号：17A0066067

IGBTパワーモジュールの過渡インピーダンス測定法を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Research on Transient Thermal Impedance Measurement Method of IGBT Power Module

著者 (4件)： Yao Fang (Hebei University of Technology) ,  Wang Shaojie (Hebei University of Technology) ,  Chen Shenghua (Hebei University of Technology) ,  Li Zhigang (Hebei University of Technology)
資料名： Dianli Dianzi Jishu  (Dianli Dianzi Jishu)
巻： 50  号： 9  ページ： 103-105  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2511A  ISSN： 1000-100X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 絶縁破壊トランジスタ(IGBT)の過渡状態インピーダンス曲線は,デバイスの劣化状態を特性化することができ,デバイスの損傷,寿命予測などの研究に大きな意義がある。光ファイバ温度測定に基づく過渡インピーダンスの測定方法を提案し,デバイスの正確な接合温度をリアルタイムに取得し,計算した過渡インピーダンス曲線はデバイスの劣化状態を反映し,デバイスの実際の熱抵抗に近い。光ファイバ測定法と感熱法により測定した過渡インピーダンス曲線を比較し,ファイバ測定法が正確で実行可能であることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 寿命予測 ,  過渡現象 ,  光ファイバ ,  熱抵抗 ,  *インピーダンス ,  温度測定 ,  絶縁破壊 ,  キャラクタリゼーション ,  *IGBT ,  トランジスタ ,  *インピーダンス測定
準シソーラス用語： 実時間 ,  接合温度 ,  *パワーモジュール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： insulated gate bipolar transistor ,  transient thermal impedance ,  optical fiber measurement method

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： IGBT ,  パワーモジュール ,  インピーダンス測定 ,  研究