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J-GLOBAL ID:201702247776418434   整理番号:17A0445192

Co_3O_4(110)表面上でのエチレン水素化のためのファセット依存と酸素空孔の役割の解明:DFT+U研究【Powered by NICT】

Unraveling the facet-dependent and oxygen vacancy role for ethylene hydrogenation on Co3O4 (110) surface: A DFT+U study
著者 (16件):
資料名:
巻: 401  ページ: 241-247  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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結晶ファセット工学と欠陥工学は触媒の触媒水素化性能を改善するための重要な戦略である。ここで完全および酸素欠損Co_3O_4(110)表面上でのエチレン水素化を,周期的密度汎関数理論計算を用いて研究した。結果はCo_3O_4(111)表面上のそれと比較してCo_3O_4のファセットがより反応性の問題を明らかにし,酸素空格子点の役割を説明した。低酸素空格子点形成エネルギーは,欠陥部位とCo_3O_4(110)表面は容易に形成されることを示唆した。H_2解離の全機構とエタンからエチレンへの段階的水素化を検討し,最も有利な経路はH_2のヘテロリシス解離エチレンプロセスの二段階的水素化に従っている。結果は完全なCo_3O_4(110)表面上でのエタンへのエチル水素化は,1.19eVの活性化エネルギーを持つ律速段階であることを示し,酸素空格子点の存在は,主要な素過程の活性化エネルギーを強く減少させると,律速段階の活性化エネルギーは0.47eVであった。Co_3O_4(111)上のそれと比較して,エチレンの水素化はCo_3O_4(110)表面上に有利である。,露出(110)ファセットを有するCo_3O_4はエチレン水素化のための優れた触媒として予測した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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不均一系触媒反応 

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