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J-GLOBAL ID：201702248443577089   整理番号：17A0275572

高出力,高密度応用のためのインタリーブ補助共振スナバ【Powered by NICT】

Interleaved auxiliary resonant snubber for high-power, high-density applications

著者 (5件)： Born Rachael (Bradley Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia 24060, USA) ,  Zhang Lanhua (Bradley Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia 24060, USA) ,  We Yu (Bradley Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia 24060, USA) ,  Ma Qingqing (Bradley Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia 24060, USA) ,  Lai Jih-Sheng (Bradley Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia 24060, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ECCE  ページ： 1-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力密度は重量と空間は限られているような応用でますます重要になってきた。softswitchingと組み合わせた,新しいワイドバンドギャップ(WBG)デバイスは,インバータは,効率を維持しながら,高いスイッチング周波数に押してサイズの縮小を可能にする。効率を維持しながら体積を低減するための高周波ソフトスイッチングのための新しいインターリーブ補助共振スナバを提案した。補助共振スナバの設計を議論したこれは主要なGaN MOSFETは,零電圧スイッチング(Z VS)を達成することを可能にした。補助スイッチとSiCダイオードは零電流スイッチング(ZCS)を達成した。ソフトスイッチングはスイッチング損失を最小化するが,伝導損失を同時に二高周波脚をインタリーブすることによる高出力応用のための低減した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MOSFET ,  *スナバ回路 ,  HF【周波数】 ,  零電圧スイッチング ,  零電流スイッチング ,  ソフトスイッチング ,  *インタリーブ ,  スイッチ ,  スイッチング損失 ,  窒化ガリウム ,  *共振 ,  炭化ケイ素
準シソーラス用語： スイッチング周波数 ,  電力密度 ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高出力 ,  応用 ,  インタリーブ ,  共振 ,  スナバ