文献
J-GLOBAL ID:201702248455804079   整理番号:17A0662156

SiC MOSFETとSiCショットキーダイオードを用いた分割出力コンバータの性能評価【Powered by NICT】

Performance Evaluation of Split Output Converters With SiC MOSFETs and SiC Schottky Diodes
著者 (5件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: 406-422  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0211B  ISSN: 0885-8993  CODEN: ITPEE8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
電力変換器における炭化けい素(SiC)MOSFETとSiC Schottkyダイオードの採用は,達成可能な電力密度とシステム効率の更なる改善を約束するが,超高速スイッチングにより生じるいくつかの問題によって制限される,脚貫通(「クロストーク」効果),高ターンオン損失,電磁干渉(EMI),等に用いられている。分割出力変換器,高速スイッチングSiCデバイスを使用した場合,標準二レベル電圧源コンバータの限界を克服することができるを示した。分割出力コンバータの数学モデルは,分割インダクタは,高スイッチング速度によって引き起されるクロストーク効果を緩和できるかを明らかにすることが提案されている。改善されたスイッチング性能(例えば,低いターンオン損失)とEMI利点を実験で実証した。電流フリーホイーリング問題,スプリットインダクタの電流パルスと電圧スパイク,消失した同期整流を実験的および解析的に詳細に説明した。これ等の結果は分割出力コンバータは高いスイッチング周波数での標準二レベルコンバータと比較して低いパワーデバイス損失を持つことができることを示した。しかし,スプリットインダクタの余分な損失は分割出力コンバータの効率,連続運転モードで実験により検証を損なう可能性がある95.91%の効率がクロストーク抑制され,低いターンオン損失,及び減少したEMI100kHzのスイッチング周波数でスプリット出力変換器によって達成された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電力変換器 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る