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J-GLOBAL ID：201702248504886423   整理番号：17A0445835

0.64Pb(In_0 5Nb_0)O_3O36PbTiO_3セラミックの構造と電気的性質に及ぼすMnドーピングの影響【Powered by NICT】

Effect of Mn-doping on the structure and electric properties of 0.64Pb(In_0.5Nb_0.5)O₃-0.36PbTiO₃ ceramics

著者 (9件)： Qiao Huimin (Key Laboratory of Optoelectronic Materials Chemistry and Physics, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fujian, Fuzhou 350002, China) ,  Qiao Huimin (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  He Chao (Key Laboratory of Optoelectronic Materials Chemistry and Physics, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fujian, Fuzhou 350002, China) ,  Wang Zujian (Key Laboratory of Optoelectronic Materials Chemistry and Physics, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fujian, Fuzhou 350002, China) ,  Li Xiuzhi (Key Laboratory of Optoelectronic Materials Chemistry and Physics, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fujian, Fuzhou 350002, China) ,  Liu Ying (Key Laboratory of Optoelectronic Materials Chemistry and Physics, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fujian, Fuzhou 350002, China) ,  Yang Xiaoming (Key Laboratory of Optoelectronic Materials Chemistry and Physics, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fujian, Fuzhou 350002, China) ,  Tailor Hamel (Department of Chemistry, Simon Fraser University, Burnaby, BC, Canada) ,  Long Xifa (Key Laboratory of Optoelectronic Materials Chemistry and Physics, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fujian, Fuzhou 350002, China)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 117  ページ： 232-238  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リラクサ基強誘電体の欠陥双極子の効果を研究するために,0.64Pb(In_0 5Nb_0)O_3 36Pb(Ti_1Mn)O_3(x=0 0.15)強誘電セラミックを二段階固相反応法を用いて合成した。相構造,強誘電,圧電および誘電特性を調べた。Mn含有量を増加すると,セラミックの相は正方晶から菱面体晶対称性,欠陥双極子の硬化効果と組成の変化のために減少残留分極と圧電係数の大きさ。が,保磁力は相転移のために最初にx≦0.04から22kV/cm12.5kV/cmに減少し,次に,欠陥双極子は,ドメインの安定性のための駆動・安定化力を提供したので増加した。安定化力も時効後x≧0.04の組成の試料で狭窄したヒステリシスループをもたらした。誘電特性の温度依存性は,Curie温度は312°C(x=0)から237°Cまで(x=0.15),リラクサ挙動の程度はMn含有量の増加と共に増加することを示した。,酸素空格子点の存在により確認され,欠陥双極子がMnドープPIN-PTセラミックの電気的性質に重要な役割を果たすことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電性 ,  残留分極 ,  正方晶系 ,  *マンガン ,  Curie温度 ,  固相反応 ,  三方晶系 ,  リラクサ ,  保磁力 ,  圧電気 ,  強誘電体
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  ヒステリシスループ ,  圧電定数 ,  欠陥双極子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Ferroelectrics ,  セラミックス ,  Mnドーピング ,  相転移 ,  酸素空格子点 ,  欠陥双極子

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： セラミック ,  電気的性質 ,  Mn ,  ドーピング