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J-GLOBAL ID：201702248747910320   整理番号：17A0550312

4H-SiC MOS界面特性の制御のための熱酸化プロセスの設計

著者 (1件)： 喜多浩之 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16p-502-3  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  *界面 ,  *特性 ,  *制御 ,  *熱酸化 ,  *プロセス設計 ,  構造 ,  欠陥密度 ,  二酸化ケイ素 ,  結晶方位
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  界面特性 ,  界面制御 ,  欠陥構造

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  MOS ,  界面特性 ,  熱酸化 ,  プロセス ,  設計