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J-GLOBAL ID：201702248778936647   整理番号：17A0697148

モザイクダイヤモンドのエピタキシャル成長:共焦点Raman分光法による結晶接合における応力と欠陥のマッピング【Powered by NICT】

Epitaxial growth of mosaic diamond: Mapping of stress and defects in crystal junction with a confocal Raman spectroscopy

著者 (18件)： Shu Guoyang (Center for Composite Materials and Structures, Harbin Institute of Technology, Harbin 150080, PR China) ,  Dai Bing (Center for Composite Materials and Structures, Harbin Institute of Technology, Harbin 150080, PR China) ,  Ralchenko V.G. (Center for Composite Materials and Structures, Harbin Institute of Technology, Harbin 150080, PR China) ,  Ralchenko V.G. (General Physics Institute RAS, Vavilov str. 38, Moscow 119991, Russia) ,  Ralchenko V.G. (National Research Nuclear University MEPhI, Moscow 115409, Russia) ,  Khomich A.A. (General Physics Institute RAS, Vavilov str. 38, Moscow 119991, Russia) ,  Khomich A.A. (National Research Nuclear University MEPhI, Moscow 115409, Russia) ,  Khomich A.A. (Institute of Radio Engineering and Electronics RAS, Fryazino 141190, Russia) ,  Ashkinazi E.E. (General Physics Institute RAS, Vavilov str. 38, Moscow 119991, Russia) ,  Ashkinazi E.E. (National Research Nuclear University MEPhI, Moscow 115409, Russia) ,  Bolshakov A.P. (General Physics Institute RAS, Vavilov str. 38, Moscow 119991, Russia) ,  Bolshakov A.P. (National Research Nuclear University MEPhI, Moscow 115409, Russia) ,  Bokova-Sirosh S.N. (General Physics Institute RAS, Vavilov str. 38, Moscow 119991, Russia) ,  Liu Kang (Center for Composite Materials and Structures, Harbin Institute of Technology, Harbin 150080, PR China) ,  Zhao Jiwen (Center for Composite Materials and Structures, Harbin Institute of Technology, Harbin 150080, PR China) ,  Han Jiecai (Center for Composite Materials and Structures, Harbin Institute of Technology, Harbin 150080, PR China) ,  Zhu Jiaqi (Center for Composite Materials and Structures, Harbin Institute of Technology, Harbin 150080, PR China) ,  Zhu Jiaqi (Key Laboratory of Micro-systems and Micro-structures Manufacturing, Ministry of Education, Harbin 150080, PR China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 463  ページ： 19-26  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共焦点Raman分光法を用いたモザイクエピタキシャルダイヤモンド膜中の欠陥と応力分布を調べ,結晶間の接合領域に特別の注意を払った。モザイクは密接に配置された(100)配向高温高圧タイプIb基板上にマイクロ波プラズマCVDにより成長させた。接合周りの応力影響と欠陥に富んだ領域の幅は基板上の層500μmでの約250μmの膜-基板界面に及ぼす膜厚と拡張の傾向を示し,約40μmから,断面におけるモザイク分析から見出された。接合周りの応力場は,σ≒0.6GPaの最大値と複雑なパターン,引張と圧縮応力の混合ドメインを持つ,を示した。類似の不均一なパターンは欠陥分布にも観察された。接合ゾーン中の非晶質.~2炭素の徴候を示さなかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 応力場 ,  *Raman分光法 ,  *エピタクシー ,  引張 ,  応力分布 ,  界面 ,  圧縮応力 ,  *モザイク性 ,  膜厚 ,  *結晶 ,  非晶質
準シソーラス用語： マイクロ波プラズマCVD ,  高温高圧 ,  ダイヤモンド膜 ,  *共焦点Raman分光法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： モザイクダイヤモンド ,  単結晶成長 ,  マイクロ波プラズマCVD ,  Raman分光法 ,  ストレス

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： モザイク ,  ダイヤモンド ,  エピタキシャル成長 ,  共焦点Raman分光法 ,  結晶 ,  応力 ,  欠陥 ,  マッピング