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J-GLOBAL ID：201702248848750124   整理番号：17A0364791

Dirac物質としての表面調節arsenenes:密度汎関数計算【Powered by NICT】

Surface regulated arsenenes as Dirac materials: From density functional calculations

著者 (4件)： Yuan Junhui (School of Science, Wuhan University of Technology, Wuhan, Hubei, 430070, China) ,  Xie Qingxing (School of Science, Wuhan University of Technology, Wuhan, Hubei, 430070, China) ,  Yu Niannian (School of Science, Wuhan University of Technology, Wuhan, Hubei, 430070, China) ,  Wang Jiafu (School of Science, Wuhan University of Technology, Wuhan, Hubei, 430070, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 394  ページ： 625-629  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理計算を用いて,化学的に修飾されたarsenenes,AsX(X=CN,NC,NCO,NCS,NCSe)の構造安定性と電子的性質を系統的に調べた。フォノン分散と形成エネルギー分析は,全ての五種の化学的に修飾された座屈したarsenenesはエネルギー的に有利であり,合成できることを明らかにした。著者らの研究は,ワイドバンドギャップarseneneは-X(X=CN,NC,NCO,NCS,NCSe)基により官能化した時にDirac物質に変化し,次世代高性能電子デバイスに新しい可能性を与えることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  官能化 ,  *フォノン分散
準シソーラス用語： 電子素子 ,  ワイドバンドギャップ ,  形成エネルギー ,  構造安定性 ,  第一原理計算 ,  *密度汎関数計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Arsenene ,  Dirac材料 ,  表面調節 ,  電子構造 ,  第一原理計算

分類 (2件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 物質 ,  調節 ,  密度汎関数計算