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J-GLOBAL ID:201702248868112642   整理番号:17A0704336

低温処理した炭素電極を用いた正孔伝導体自由ペロブスカイト太陽電池における接触研究【Powered by NICT】

A contact study in hole conductor free perovskite solar cells with low temperature processed carbon electrodes
著者 (7件):
資料名:
巻:号: 34  ページ: 20732-20737  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7055A  ISSN: 2046-2069  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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グラファイト電極を用いた正孔導体材料(HTM)フリー光起電素子は低温度で作製した。FTO/ペロブスカイト接触とTiO_2/黒鉛接触を調べた。結果は,FTO/ペロブスカイトとTiO_2/炭素接触から生じるキャリア再結合過程がデバイス性能に大きく影響することを示唆した。最適化により,380nm TiO_2メソ多孔性層を持つ65nm TiO_2緻密層は,FTOとペロブスカイト材料間の接触を効率的に下げることができる。TiO_2とグラファイトの間の接触は,ペロブスカイト被覆の改善により低下した。光起電力は0.695Vから0.820Vに強化され,10.4%の最高効率が得られた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 
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