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J-GLOBAL ID：201702248889956282   整理番号：17A0518244

XF₄(X=C,Si,およびGe)分子の電子衝撃励起および解離に関する平面Born断面積の実験的スケーリングおよびab initio帰属

Experimental scaling of plane-Born cross sections and ab initio assignments for electron-impact excitation and dissociation of XF₄ (X = C, Si, and Ge) molecules

著者 (5件)： Hoshino M. (Department of Physics, Sophia University, Tokyo 102-8554, Japan) ,  Duflot D. (UMR 8523 - Physique des Lasers Atomes et Molecules, Universite de Lille, F-59000 Lille, France) ,  Limao-Vieira P. (Department of Physics, Sophia University, Tokyo 102-8554, Japan) ,  Ohtomi S. (Department of Physics, Sophia University, Tokyo 102-8554, Japan) ,  Tanaka H. (Department of Physics, Sophia University, Tokyo 102-8554, Japan)
資料名： Journal of Chemical Physics  (Journal of Chemical Physics)
巻： 146  号： 14  ページ： 144306-144306-16  発行年： 2017年04月14日 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 四フッ化炭素,四フッ化ケイ素,および四フッ化ゲルマニウム分子(CF₄,SiF₄,およびGeF₄)の電子エネルギー損失スペクトルを,1.5°-15.5°で50-360 eVの入射電shエネルギーに対し,また30 eVと30°散乱角に関して測定し,エネルギー欠損を9.0-20.0 eVの範囲にわたって走査した。量子化学ab initio計算によって,低準位原子価励起三重項および一重項状態を調べた。XF₄(X=C,Si,Ge)の(最低)イオン化エネルギー限界へ収束するRydberg系列も同定し,量子欠損の大きさに従う系統的な挙動を用いて分類した。一般化振動子強度解析を採用して,光学許容遷移に対するVriens公式を用い,微分断面積から振動子強度f₀値と見かけのBorn積分断面積を導いた。このf₀値を,光吸収の光学振動子強度,擬光子測定,および理論値と比較した。最も強く光学的に許容の遷移の二体衝突およびf-スケールBorn断面積も,Born近似が保証されている高エネルギー領域への励起閾値から導いた。2つの異なる基底関数系を用いて,XF₃+F座標に沿うポテンシャルエネルギー曲線を得,ラジカル生成をもたらす電子衝撃解離過程を支持した。CF₄では,その最低準位の解離の特徴は,Rydberg 3sから原子価の特徴(σ*(C-F))への分子内変換によるが,SiF₄およびGeF₄では,反結合挙動が優勢であることを見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  フッ化物 ,  *解離 ,  *電子衝突 ,  電子エネルギー損失スペクトル ,  角度 ,  三重項 ,  一重項 ,  イオン化ポテンシャル ,  Rydberg状態 ,  量子欠損 ,  振動子強度 ,  許容遷移 ,  *断面積 ,  Born近似 ,  基底関数系 ,  ポテンシャルエネルギー曲線 ,  フロン
準シソーラス用語： *電子衝撃解離 ,  *電子衝撃 ,  散乱角 ,  イオン化エネルギー ,  *吸収断面積

分類 (1件)： 電子と分子の衝突・散乱  (BH07030A)

物質索引 (1件)： 四ふっ化炭素

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  Ge ,  分子 ,  電子衝撃 ,  励起 ,  解離 ,  断面積 ,  実験 ,  スケーリング