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J-GLOBAL ID:201702248921919723   整理番号:17A0698586

インドメタシンの分解のための強化された可視光光触媒活性を有するNドープ炭素dots/g C_3N_4光触媒の容易な合成【Powered by NICT】

Facile synthesis of N-doped carbon dots/g-C3N4 photocatalyst with enhanced visible-light photocatalytic activity for the degradation of indomethacin
著者 (11件):
資料名:
巻: 207  ページ: 103-113  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0375A  ISSN: 0926-3373  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,新しい可視光駆動Nドープ炭素ドット(NCD)/g C_3N_4複合体を,簡単な重合法によりg C_3N_4の中間層と表面上にNCDナノ粒子を堆積することにより合成することに成功した。NCDs/g C_3N_4の光触媒活性は可視光照射下でのインドメタシン(IDM)の分解に対してg C_3N_4とCDs/g C_3N_4のそれよりも著しく高かった。NCD負荷容量の増加に伴い,NCDs/g C_3N_4の光触媒活性は最初増加し,その後減少した。1.0wt%の非常に低いNCD含有量は,元のg C_3N_4のそれよりも13.6倍高い反応速度をもたらした。この増強された光触媒活性は,特異なアップコンバージョンPL特性,効率的な電荷分離だけでなく,バンドギャップ狭まりNCDのに起因した可能性がある。反応性種(RS)捕捉実験は,スーパーオキシドラジカルアニオン(O_2 )及び光生成正孔(h~+)は,IDMの光触媒分解の間に重要な役割を果たしていることを明らかにした。O_2 の定量はNCDs/g C_3N_4は元のg C_3N_4のそれよりも大きい量O_2 を形成することを示した。IDMの潜在的光触媒経路はHPLC-MS/MSを用いた中間体とフロンティア電子密度(FED)計算に基づく反応部位の予測の同定,脱炭酸,ヒドロキシル化,インドール環の付加と開裂を含むを通して提案した。毒性と無機化評価はNCDs/g C_3N_4は可視光照射のより長い曝露下でIDMの毒性低減と無機化のための非常に望ましい性能を提供することを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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光化学反応 

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