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J-GLOBAL ID：201702248950299769   整理番号：17A0470955

ナノ構造Nドープp型Bi_2O_3薄膜の実現【Powered by NICT】

Realization of nanostructured N-doped p-type Bi₂O₃ thin films

著者 (5件)： Wang Ying (School of Metallurgy and Environment, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Jiang Liangxing (School of Metallurgy and Environment, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Chen Jianyu (School of Metallurgy and Environment, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Liu Fangyang (School of Metallurgy and Environment, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Lai Yanqing (School of Metallurgy and Environment, Central South University, Changsha 410083, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 193  ページ： 228-231  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Nドープp型多孔質Bi_2O_3ナノプレート薄膜(NPTFs)を最初に化学浴堆積(CBD)とそれに続くNH_3雰囲気下で熱処理プロセスによりFTO基板上に合成した。Hall効果の結果は,p型多孔質Bi_2O_3NPTFsの形成を示し,最良の伝導率は,より高いキャリア濃度,より低い抵抗率,およびドープしないものに比べて非常に近い移動度を有するNドーピングによって達成された。Mott-Schottky測定は,p型伝導を確認した。光学的および光電気化学曲線の特性は,Nドープ多孔質Bi_2O_3NPTFsしたドープしていないn型1より小さいバンドギャップを持つp型で,最高の光電流密度は30mW/cm~2に保たれた光強度下で50μA/cm~2に達することができたことを示した。よってNドープp型多孔質Bi_2O_3NPTFsは光電気化学応用のための有望な候補である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ドーピング ,  光電気化学 ,  キャリア密度 ,  *薄膜 ,  バンドギャップ ,  電気抵抗率 ,  多孔性 ,  電流密度 ,  Hall効果 ,  *ナノ構造 ,  移動度
準シソーラス用語： 光強度 ,  伝導率 ,  化学浴析出 ,  ナノプレート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ナノ結晶材料 ,  多孔質材料 ,  光材料と性質

分類 (5件)： 合成鉱物  (CD01040K) ,  燃料電池  (YB04040V) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノ構造 ,  ドープ ,  薄膜