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J-GLOBAL ID：201702249124246066   整理番号：17A0704006

Ni/SiN_x/p Siメモリ素子における整流の理解と非線形バイポーラ抵抗スイッチング特性【Powered by NICT】

Understanding rectifying and nonlinear bipolar resistive switching characteristics in Ni/SiN_x/p-Si memory devices

著者 (3件)： Kim Sungjun (Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul 08826, South Korea. [e-mail]) ,  Chang Yao-Feng ,  Park Byung-Gook
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 29  ページ： 17882-17888  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二抵抗メモリデバイスはNi/SiN_x/p Siデバイスの自己整流と非線形抵抗スイッチング特性を調査するためにシリコン底部電極の異なるドーピング濃度で調製した。還元電流オーバーシュート効果のために,正バイアスで電鋳を用いたバイポーラ型抵抗スイッチング挙動を生成することができる。Ni/SiN_x/p~+Siデバイスにおける高い自己整流比はNi/SiN_x/p~+Siデバイスよりも達成された。非対称I-V特性は,逆電流を抑制するSchottky障壁により説明でき,導電性経路のサイズによって制御可能であった。低抵抗状態で高い抵抗値をもつ導電性経路は高選択比のために有益である。さらに,コンプライアンス電流を制御することにより,著者らは改善された自己整流と選択比を実証した。実験の結果は,CMOS互換クロスポイントアレイ応用におけるセレクタ素子を必要とせずに非線形特性を向上させる可能な方法を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電鋳 ,  *ケイ素 ,  電流 ,  *記憶素子 ,  *整流 ,  Schottky障壁 ,  選別器 ,  電極 ,  導電性 ,  バイアス ,  記憶装置 ,  非対称性
準シソーラス用語： 整流比 ,  *抵抗スイッチング ,  *スイッチング特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ni ,  Si ,  メモリ素子 ,  整流 ,  理解 ,  非線形 ,  バイポーラ ,  スイッチング特性