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J-GLOBAL ID：201702249128332223   整理番号：17A0502274

再成長p-GaN/AlGaN/GaN半極性ゲート構造を用いたノーマリオフ型GaN基板上縦型GaNトランジスタの開発

Normally-off Vertical GaN Transistor on GaN Substrate with Regrown p-GaN/AlGaN/GaN Semipolar Gate Structure

著者 (12件)： 柴田大輔 (パナソニック) ,  半田浩之 (パナソニック) ,  塩崎奈々子 (パナソニック) ,  梶谷亮 (パナソニック) ,  梅田英和 (パナソニック) ,  宇治田信二 (パナソニック) ,  小川雅弘 (パナソニック) ,  田中健一郎 (パナソニック) ,  田村聡之 (パナソニック) ,  初田次康 (パナソニック) ,  石田昌宏 (パナソニック) ,  上田哲三 (パナソニック)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-17  号： 42-51  ページ： 13-17  発行年： 2017年03月09日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *縦型 ,  *トランジスタ ,  P型半導体 ,  *窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  *回路特性 ,  *極性 ,  *ゲート【半導体】 ,  *オン抵抗 ,  電圧 ,  *結晶成長 ,  絶縁耐力 ,  基板
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  *ノーマリーオフ ,  *半極性 ,  低オン抵抗 ,  高閾値電圧 ,  *再成長

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 再成長 ,  GaN ,  AlGaN ,  半極性 ,  ゲート ,  マリ ,  縦型 ,  トランジスタ ,  開発