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J-GLOBAL ID：201702249200159042   整理番号：17A0469713

Siエピタキシャルウエハ上の大型見えない欠陥の生成機構【Powered by NICT】

Generation mechanism of large-size invisible defects on Si epitaxial wafers

著者 (6件)： Lee Kyuhyung (Research Center, LG Siltron Inc., Gumi-si, Gyeongsangbuk-do 730-350, Korea) ,  Park Jungkil (Research Center, LG Siltron Inc., Gumi-si, Gyeongsangbuk-do 730-350, Korea) ,  Shin Jungwon (Research Center, LG Siltron Inc., Gumi-si, Gyeongsangbuk-do 730-350, Korea) ,  Kim Jayoung (Research Center, LG Siltron Inc., Gumi-si, Gyeongsangbuk-do 730-350, Korea) ,  Kang Heebog (Research Center, LG Siltron Inc., Gumi-si, Gyeongsangbuk-do 730-350, Korea) ,  Lee Boyoung (Research Center, LG Siltron Inc., Gumi-si, Gyeongsangbuk-do 730-350, Korea)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 462  ページ： 12-17  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型電子顕微鏡(SEM)測定では見られない新しいSiエピタキシャル(エピ)欠陥を調べた。これらの欠陥の形態を原子間力顕微鏡(A FM)によって測定したが,欠陥源を透過型電子顕微鏡(TEM)測定では見られなかった。見えない欠陥の起源を見出すために,エピ成長過程後の種々の基板欠陥の形態変化を観察した。欠陥の大部分は水素(H_2)ベーキングと塩化水素(HCl)エッチング段階で除去されたが,いくつかの粒子は生存した。生存欠陥の中で,200nm以上のアシル鎖をもつ非金属粒子は見えないエピ欠陥の起源であることを確認した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エッチング ,  *エピタクシー ,  成長段階 ,  *ケイ素 ,  *てんかん ,  塩化水素 ,  原子間力顕微鏡 ,  塩酸 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： 金属粒子 ,  *生成機構 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1欠陥 ,  A1エッチング ,  A3化学蒸着過程 ,  B2半導体シリコン

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  エピタキシャル ,  ウエハ ,  大型 ,  欠陥