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J-GLOBAL ID:201702249241315064   整理番号:17A0404013

硫化ニッケルとその擬似容量性能の位相制御されたソルボサーマル合成と形態進化【Powered by NICT】

Phase-controlled solvothermal synthesis and morphology evolution of nickel sulfide and its pseudocapacitance performance
著者 (11件):
資料名:
巻: 43  号:ページ: 3080-3088  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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位相制御されたソルボサーマル合成は,反応時間と界面活性剤の添加を調整することによりα-NiS,Ni_3S_4とNiS_2を含む単相の硫化ニッケルの合成のために提案した。硫化ニッケルの相変化を界面活性剤の存在下で反応時間が長くなると硫黄化学量論の増加と共に進行した。ヘキサデシル-トリメチル-アンモニウムブロミド(CTAB)の添加により,中空球構造と高い硫黄化学量論NiS_2相は9H,S~のCTABミセル表面の濃縮のためにはるかに短い時間,続いて最終的にバルク溶液に濃縮硫黄の散逸による単相Ni_3S_4への変換で合成した。スーパーキャパシタ中のこれら三単相材料の適用を検討した。α-NiS電極材料はNi_3S_4とNiS_2電極を凌駕し,0.5Ag~( 1)で800fg~( 1)のはるかに高い比静電容量を示し,小さな粒子サイズ,高い電気伝導度と特異な六方晶結晶構造に起因する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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セラミック・陶磁器の製造 
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