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J-GLOBAL ID：201702249291155438   整理番号：17A0759390

化学浴堆積したCdS膜のセレン化により作製したCdS_1 xSe_x膜の構造的,光学的および光電的性質の研究【Powered by NICT】

Studies on structural, optical, and photoelectric properties of CdS_1-xSe_x films fabricated by selenization of chemical bath deposited CdS films

著者 (10件)： Lu Tianyu (Department of Physics, Changshu Institute of Technology, Changshu 215500, P.R. China) ,  Gu Han (Department of Physics, Changshu Institute of Technology, Changshu 215500, P.R. China) ,  Ge Zhenhua (Department of Physics, Changshu Institute of Technology, Changshu 215500, P.R. China) ,  Zhang Lei (Department of Physics, Changshu Institute of Technology, Changshu 215500, P.R. China) ,  Wu Wangping (School of Mechanical Engineering, Changzhou University, Changzhou 213164, P.R. China) ,  Wang Zhicheng (Department of Physics, Changshu Institute of Technology, Changshu 215500, P.R. China) ,  Fang Yong (Department of Physics, Changshu Institute of Technology, Changshu 215500, P.R. China) ,  Han Zhida (Department of Physics, Changshu Institute of Technology, Changshu 215500, P.R. China) ,  Qian Bin (Department of Physics, Changshu Institute of Technology, Changshu 215500, P.R. China) ,  Jiang Xuefan (Department of Physics, Changshu Institute of Technology, Changshu 215500, P.R. China)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 2  ページ： ROMBUNNO.201600664  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高感光性CdS_1 xSe_x膜を二段階法,CdS膜とそれに続くセレン化過程の化学浴堆積を含むにより合成した。CdS_1 xSe_x膜の構造的,光学的および光電特性を調べた。硫黄原子に対するセレンの置換により,セレン化温度が450°Cを超えるとき,調製したCdS_1 xSe_x膜の粒径を効果的に拡大し,膜厚のスケールに達した。セレン化温度を350から550°Cに上げると,CdS_1 xSe_x膜のバンドギャップは2.37から1.82eVまで次第に減少した。粒径拡大とバンドギャップ減少の相互作用では,450°Cで作製したCdS_1 xSe_x膜は非常に顕著な光感度を示した。注目すべきことに,450°Cでセレン化CdS_1 xSe_x薄膜の暗伝導率に対する光の比は1.1×10~5に達し,光電デバイスにおける有望な応用可能性を示唆した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 暗伝導 ,  *セレン ,  相互作用 ,  粒径 ,  *硫化カドミウム ,  膜厚 ,  薄膜 ,  硫黄 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 光感度 ,  光感受性 ,  *光電気 ,  *セレン化反応 ,  *化学浴析出 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： バンドギャップ ,  CdS1 xSex膜 ,  化学浴析出 ,  photosensitivity ,  セレン化 ,  薄膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 化学浴堆積 ,  CdS ,  セレン化 ,  作製 ,  光学 ,  光電 ,  性質 ,  研究