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J-GLOBAL ID：201702249325733382   整理番号：17A0203810

透明AZOゲートAlGaN/GaNH EMTの光応答とトラップ特性【Powered by NICT】

Photoresponse and trap characteristics of transparent AZO-gated AlGaN/GaN HEMT

著者 (10件)： Wang Chong (The School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhao Mengdi (The School of Microelectronics, Xidian University) ,  He Yunlong (The School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zheng Xuefeng (The School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Kun (The School of Microelectronics, Xidian University) ,  Wei Xiaoxiao (The School of Microelectronics, Xidian University) ,  Mao Wei (The School of Microelectronics, Xidian University) ,  Ma Xiaohua (The School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Jincheng (The School of Microelectronics, Xidian University) ,  Hao Yue (The School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 10  ページ： 108504-1-108504-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AZOゲートとNi/AuゲートAlGaN/GaNH EMTを成功裡に作製し,AZOgated電極の優れた透明度を達成した。負ゲートバイアス応力は二種類のデバイスのに作用する後,それらの光応答特性を異なる波長をもつレーザ光源を用いて研究した。AZOゲート電極デバイスに対する光応答の影響はNi/Auゲート電極デバイスよりもより顕著であった。は負のゲートバイアスストレスを経験した後の電子はAZOゲートH EMTのAlGaN障壁中に捕獲されると,特定波長の光で照射された後,電子を効率的に励起することができる。さらに,トラップ状態密度DTとAZOゲートSchottky接触の時定数tTは10kHzから10MHzまでの周波数範囲で測定した並列コンダクタンスを適合させることによって抽出した。約0.35μsから20.35μsにトラップ範囲,とトラップ状態密度の定数は0.40eVのエネルギーで0.33eV~3.07×10(11)eV( 1)cm( 2)のエネルギーで1.93×10~(13)eV( 1)cm( 2)から増加した。さらに,静電容量とコンダクタンス測定は,AZOゲートH EMTにおける異なる照明条件の下でのトラッピング効果を特性化した。還元深いトラップ状態の密度は,短い波長の光の照射下で確認した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 時定数 ,  照明条件 ,  *状態密度 ,  応答特性 ,  コンダクタンス ,  ニッケル ,  キャラクタリゼーション ,  波長 ,  静電容量 ,  金 ,  透明度
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  ゲート電極 ,  ゲートバイアス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlGaN/GaN ,  H EMT ,  AZO ,  トラップ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Azo ,  ゲート ,  AlGaN ,  EMT ,  光応答 ,  トラップ