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J-GLOBAL ID：201702249401944885   整理番号：17A0661398

BiFeO_3薄膜における強誘電性自己ポーリング,スイッチングおよび単斜晶分域配置【Powered by NICT】

Ferroelectric Self-Poling, Switching, and Monoclinic Domain Configuration in BiFeO₃ Thin Films

著者 (13件)： Beekman C. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Siemons W. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Chi M. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Balke N. (Center for Nanophase Materials Science, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Howe J. Y. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Ward T. Z. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Maksymovych P. (Center for Nanophase Materials Science, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Budai J. D. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Tischler J. Z. (Advanced Photon Source, Argonne National Laboratory, Argonne, IL, 60439, USA) ,  Xu R. (Advanced Photon Source, Argonne National Laboratory, Argonne, IL, 60439, USA) ,  Liu W. (Advanced Photon Source, Argonne National Laboratory, Argonne, IL, 60439, USA) ,  Christen H. M. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Christen H. M. (Center for Nanophase Materials Science, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 28  ページ： 5166-5173  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体膜,すなわち,成長したままの試料における強誘電分極の優先,均一方向の自己分極はしばしばまだデバイス応用のためのその重要性にもかかわらず良く理解されていない観測された。,エピタキシャル歪に依存して二つの異なる構造多形に結晶化し,マルチフェロイックペロブスカイトBiFeO_3はよく自己分極を示すことが知られている。本研究は単斜晶分域構造に及ぼす自己分極とわずかに異なるLa_0 3Sr_0 7MnO_3バッファ層を持つLaAlO_3基板上に成長させた薄膜におけるBiFeO_3(R′とT′)の二つの多形のスイッチング特性の影響を調べた。本研究では,成長中に形成された偏光状態は偏光に「インプリント」として作用し,この自己分極方向から偏光スイッチングのみ試料の単斜晶分域構造を犠牲にして行うことができることを示した。単斜晶ドメインサイズの観察された減少はほとんど可逆的,分極はその元の配向に戻って切り換えた時のドメインサイズは回復した。これは極性相(T_c以下)で起こる成長の直接の結果である。優先配置,欠陥と分域パターンは系のエネルギーを最小にする相乗的からの分極スイッチング,より小さな(そしてより高度に歪んだ及び歪んだ)単斜晶分域と磁区状態をもたらした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *単斜晶系 ,  *スイッチング ,  分極 ,  *薄膜 ,  磁区 ,  バッファ層 ,  *分域 ,  エピタクシー ,  *強誘電性 ,  極性 ,  結晶化 ,  偏光 ,  分極反転
準シソーラス用語： ドメインサイズ ,  強誘電体薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ビスマスフェライト ,  結晶度 ,  3,7 ,  強誘電薄膜 ,  インプリント

分類 (4件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 薄膜 ,  強誘電性 ,  自己 ,  ポーリング ,  スイッチング ,  単斜晶 ,  分域