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J-GLOBAL ID：201702249997770624   整理番号：17A0451542

電子相互接続の凝固中のCu_6Sn_5結晶成長機構【Powered by NICT】

Cu₆Sn₅ crystal growth mechanisms during solidification of electronic interconnections

著者 (6件)： Xian J.W. (Department of Materials, Imperial College, London, SW7 2AZ, UK) ,  Belyakov S.A. (Department of Materials, Imperial College, London, SW7 2AZ, UK) ,  Ollivier M. (Department of Materials, Imperial College, London, SW7 2AZ, UK) ,  Nogita K. (Nihon Superior Centre for the Manufacture of Electronic Materials (NS CMEM), School of Mechanical & Mining Engineering, The University of Queensland, St Lucia, QLD 4072, Australia) ,  Yasuda H. (Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University, Sakyo-ku, Kyoto, 606-8501, Japan) ,  Gourlay C.M. (Department of Materials, Imperial College, London, SW7 2AZ, UK)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 126  ページ： 540-551  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一次Cu_6Sn_5の成長機構をEBSD,FIBトモグラフィとシンクロトロンラジオグラフィーを組み合わせることによりSn-Cu合金とはんだ接合で調べた。冷却速度とCu含有量の増加に伴い,Cu_6Sn_5結晶は,溝付きロッド,面内分岐ファセット結晶へと,最終的に,非ファセット樹状突起へのファセット化した六方晶ロッドから開発した。この範囲成長形態が速度論的微細構造マップに合理的に説明した。Cu_6Sn_5六方晶ロッドが{101 0}面における<405>に沿った分岐{101 0}ファセットとCu_6Sn_5樹状突起で囲まれた[0001]に沿って成長した。ファセットと非ファセット転移は拡散と曲率により支配される連続成長に対する異方性付着速度論により支配される横方向成長からの速度論界面ラフニング転移と機構の緩やかな変化を示した。最後に,バルク合金の種々の組成と冷却速度の組合せのための成長することをCu_6Sn_5形態の全範囲は,ピーク温度と冷却速度を変化させることにより単一組成(Sn 0.7 wt%Cu/Cu)で作られたはんだ接合部で成長するように設計できることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 冷却速度 ,  *凝固 ,  樹状突起 ,  三次元 ,  曲率 ,  界面 ,  六方晶系 ,  キャラクタリゼーション ,  ラフニング転移 ,  速度論 ,  はんだ付 ,  *相互接続 ,  シンクロトロン放射 ,  ファセット
準シソーラス用語： EBSD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 結晶成長 ,  3Dキャラクタリゼーション ,  EBSD ,  はんだ付け ,  シンクロトロン放射

分類 (2件)： ろう付  (WC07050C) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子 ,  相互接続 ,  凝固 ,  結晶成長