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J-GLOBAL ID：201702250146361638   整理番号：17A0819221

低温下水素イオンビーム照射によるPd薄膜の超伝導転移

著者 (4件)： 鈴木直也 (京大 大学院) ,  中山亮 (京大 大学院) ,  前里光彦 (京大 大学院) ,  北川宏 (京大 大学院)
資料名： 日本化学会春季年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 97th  ページ： ROMBUNNO.2G1-11  発行年： 2017年03月03日 
JST資料番号： S0493B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 水素原子は,様々な物質と相互作用が可能であり,多様な電荷状態を取りうる。この観点から,水素導入法は物性制御の手法として重要である。我々が着目した水素イオンビーム照射では,既存の方法では到達できない高濃度に水素を物質に導入できる。今回,我々はPd薄膜に対して水素イオンビーム照射を行い,in situでの電気抵抗測定を行った。その際,H/Pd=2.4まで水素を導入することに成功し,これまでより高い転移温度での超伝導を発見した。(著者抄録)

シソーラス用語： *陽子 ,  *イオン照射 ,  *パラジウム ,  金属薄膜 ,  現場試験 ,  電気抵抗 ,  転移温度 ,  *超伝導
準シソーラス用語： in-situ測定 ,  イオンビーム照射 ,  水素イオン ,  電気抵抗測定

分類 (3件)： イオンと分子の衝突・散乱  (BH07040L) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  水素 ,  イオンビーム照射 ,  Pd ,  薄膜 ,  超伝導転移