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J-GLOBAL ID：201702250174485158   整理番号：17A0260589

INP量子ドットのドーピングとその光学的性質【JST・京大機械翻訳】

Doping of InP Quantum Dots and Its Optical Properties

著者 (7件)： Yang Suolong (Science and Technology on Surface Physics and Chemistry Laboratory) ,  Wang Xiaofang (Science and Technology on Surface Physics and Chemistry Laboratory) ,  Jiang Chunli (Science and Technology on Surface Physics and Chemistry Laboratory) ,  Zhao Yawen (Science and Technology on Surface Physics and Chemistry Laboratory) ,  Zeng Rongguang (Science and Technology on Surface Physics and Chemistry Laboratory) ,  Wang Huaisheng (Science and Technology on Surface Physics and Chemistry Laboratory) ,  Lai Xinchun (Science and Technology on Surface Physics and Chemistry Laboratory)
資料名： Wuji Cailiao Xuebao  (Wuji Cailiao Xuebao)
巻： 31  号： 10  ページ： 1051-1057  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2432A  ISSN： 1000-324X  CODEN： WCXUET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： LI,ZN金属イオンドープINP量子ドット(LI:INPおよびINP:INP:INP)をその場合成法により合成し,量子ドットの構造,サイズおよび光学的性質に及ぼすドーパントの影響を調べた。その結果,LI+,ZN(2+)ドープINP量子ドットの結晶度は高く,サイズは均一であることが判明した。LI+ドーピングはINP量子ドットの構造を変化させないが,LI+はINP格子に入っていないが,INP量子ドットの核形成と成長を抑制し,吸収スペクトルと蛍光スペクトルの両方とも大きな青方偏移を生じる。また,ZNドーピングはINP量子ドットの核形成と成長を抑制し,INP/ZN_3P_2/ZNO複合コアシェル構造を形成し,特にZNドーピング濃度(ZN/IN原子比)が0.2のときに,量子ドットの蛍光強度は著しく増加した。INP量子ドットの蛍光強度はほぼ100倍増加し、これは短波長INP量子ドットの合成に対して一定の参考価値がある。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶度 ,  青方偏移 ,  核形成 ,  ドーパント ,  吸収スペクトル ,  *量子ドット ,  *ドーピング ,  蛍光スペクトル ,  *光学的性質 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： 蛍光強度 ,  原子比 ,  その場合成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InP ,  quantum dot ,  doping ,  optical-property

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： InP ,  量子ドット ,  ドーピング ,  光学的性質