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J-GLOBAL ID:201702250196560150   整理番号:17A0312581

高性能有機電界効果トランジスタのための表面に誘起された高度に配向したペリロ[1,12 b,c,d]セレノフェン薄膜【Powered by NICT】

Surface-induced highly oriented perylo[1,12-b,c,d]selenophene thin films for high performance organic field-effect transistors
著者 (7件):
資料名:
巻: 35  ページ: 186-192  発行年: 2016年08月 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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気相蒸着による高度に配向したポリエチレン(PE)基板上にペリロ[1,12 b,c,d]セレノフェン(PESE)のエピタキシャル結晶化を達成した。異なる結晶形態をもつ配向PESE結晶は真空蒸着中のPE基板の温度を変えることにより作製することができた。PE基板温度が70°C以下の時,まばらに分散したPESEラス状結晶は長軸PE結晶の鎖方向に垂直に優先的に配向で生成した。がPE膜の鎖方向に平行な長軸をもつ整列したラス状結晶とPESEの近い膜は90°C以上で得られた。expitaxially結晶化PESE膜に基づくトランジスタを作製し,トランジスタ特性も調べた。トランジスタはexpitaxially結晶化PESE膜の調製条件に依存して異なる電気的特性を示すことが分かった。,すなわち,<70°C,低温で配向したPE膜上に堆積したPESEとPESE/PE SiO_2/Siに基づくトランジスタはPESE/OTS SiO_2/Si型トランジスタを用いる同様の貧弱な特性を示した。しかし,堆積温度が90°Cまで上昇した時に,このトランジスタは最大電界効果移動度4.4×10~ 2cm~2V~ 1s~ 1の最大オン/オフ比2.0×10~5のPESE/OTS SiO_2/Siベーストランジスタより約2桁高いを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  有機化合物の薄膜 

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