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J-GLOBAL ID:201702250267282147   整理番号:17A0731280

HGドープCDTEによるバンドギャップ幅の狭くなる理論的研究【JST・京大機械翻訳】

Theoretical investigation on the narrowing of band gap of sphalerite CdTe by Hg-doping
著者 (6件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: 176-182  発行年: 2009年 
JST資料番号: C2079A  ISSN: 1000-0364  CODEN: YYFXEM  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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密度汎関数理論に基づく第一原理平面波擬ポテンシャル法を用いて、閃亜鉛鉱のCDTE及び異なる量のHGドープHGXCD1-XTEの電子構造を研究し、相応のバンド構造、態密度、差分電荷分布及び吸収スペクトルを示した。計算結果によると、HGドーピング量の増加に伴い、バンドギャップ幅が狭くなり、バンドギャップ幅が狭くなるミクロメカニズムが得られた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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半導体結晶の電子構造  ,  光物性一般 

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