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J-GLOBAL ID：201702250391431821   整理番号：17A0734877

Γ線幅が電子ビーム照射時の照射効果に与える影響【JST・京大機械翻訳】

Pulse-width dependent radiation effects on electronic components

著者 (3件)： Zhu Xiaofeng (Institute of Electronic Engineering, CAEP) ,  Zhao Hongchao (Institute of Electronic Engineering, CAEP) ,  Zhou Kaiming (Institute of Electronic Engineering, CAEP)
資料名： Qiangjiguang yu Lizishu  (Qiangjiguang yu Lizishu)
巻： 21  号： 10  ページ： 1539-1541  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2482A  ISSN： 1001-4322  CODEN： QYLIEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 2種類のΓ線源を採用し、パルス幅がそれぞれ約20、50、150NS、線量率が10~6~10~9 GY(SI)・S~(-1)の場合、5種類の異なる種類の電子装置に対して照射実験を行い、その照射応答を分析した。異なるパルス幅の下での照射応答の差異を比較した。実験結果は以下を示す。パルス幅は瞬間的照射効果に影響する重要な因子であり、Γパルス幅が広いほど、照射応答が強く、分離器の集積回路はパルス幅よりも影響が大きい。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 線源 ,  分離装置 ,  パルス幅 ,  集積回路 ,  *電子照射 ,  線量率 ,  電子装置 ,  *照射効果

著者キーワード (4件)： pulse-width ,  radiation effect ,  dose rate ,  radiation storage time

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (3件)： γ線 ,  電子ビーム照射 ,  照射効果