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J-GLOBAL ID：201702250415473114   整理番号：17A0475409

ふっ素化チアジアゾロキノキサリンに基づく低バンドギャップD-A共重合体の合成と光起電力特性【Powered by NICT】

Synthesis and photovoltaic properties low bandgap D-A copolymers based on fluorinated thiadiazoloquinoxaline

著者 (8件)： Keshtov M.L. (Institute of Organoelement Compounds of the Russian Academy of Sciences, Vavilova St., 28, 119991, Moscow, Russian Federation) ,  Khokhlov A.R. (Institute of Organoelement Compounds of the Russian Academy of Sciences, Vavilova St., 28, 119991, Moscow, Russian Federation) ,  Kuklin S.A. (Institute of Organoelement Compounds of the Russian Academy of Sciences, Vavilova St., 28, 119991, Moscow, Russian Federation) ,  Osipov S.A. (Institute of Organoelement Compounds of the Russian Academy of Sciences, Vavilova St., 28, 119991, Moscow, Russian Federation) ,  Radychev N.A. (Carl von Ossietzky University of Oldenburg, 26129, Oldenburg, Germany) ,  Godovskiy D.Y. (Institute of Organoelement Compounds of the Russian Academy of Sciences, Vavilova St., 28, 119991, Moscow, Russian Federation) ,  Konstantinov I.O. (Institute of Organoelement Compounds of the Russian Academy of Sciences, Vavilova St., 28, 119991, Moscow, Russian Federation) ,  Sharma Ganesh D. (Department of Physics, The LNM Institute for Information Technology, Jamdoli, Jaipur, India)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 43  ページ： 268-276  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本コミュニケーションでは,著者らは低バンドギャップD-A共重合体強いアクセプタとベンゾチオフェン(BT)としてのふっ素化チアジアゾロキノキサリン(TDQ),P(ffFlTDQ-BT)と表示の構成は,1.26eVの光学バンドギャップをもつ350nmから1000nmまでをカバーする広い吸収プロファイルを示す設計を報告した。P(ffFlTDQ-BT)は,最高被占分子軌道(HOMO)エネルギー準位 5.46eVである非フッ素化対応物共重合体のそれよりもより深いを示した。光起電力特性をITO/PEDOT:PSS/PSS/P(ffFlTDQ-BT):PC_71BM/Alの構造を有する従来のデバイスを用いて評価した。P(ffFlTDQ-BT)PC_71BM重量比,および溶媒添加剤(DIO)の濃度の最適化後に,この素子は,7.27%の全体的な電力変換効率を示した。このデバイスのPCEのより高い値は,非フッ素化共重合体(5.80%)のそれはJ_scとFFの両方の高い値に起因し,より高い正孔移動度と良好な励起子解離効率に関連するよりも高かった。さらに,活性層堆積およびCBAの濃度の最適化後の低沸点溶媒添加物,すなわちo-クロロベンズアルデヒド(CBA)(沸点132°C)を用いて,得られたPSCは,8.10%の全PCE,溶媒の残留物の迅速除去により誘起された,良くバランスのとれた電荷輸送に関連した,DIO/CB活性加工に基づくPSCよりも高かった。著者らの知識の及ぶ限りでは,8.10%のPCEが1.30eV以下の低バンドギャップを持つPSCにも最も高かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： アクセプタ ,  *バンドギャップ ,  励起子 ,  光学ギャップ ,  最適化 ,  *光起電力 ,  活性層 ,  HOMO ,  沸点 ,  エネルギー準位 ,  *フッ素化
準シソーラス用語： 高分子太陽電池 ,  電荷輸送 ,  正孔移動度 ,  電力変換効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 低バンドギャップD-A共重合体 ,  Deeper HOMOエネルギー準位 ,  バルクヘテロ接合高分子太陽電池 ,  低エネルギー損失 ,  電力変換効率

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (4件)： ふっ素化 ,  バンドギャップ ,  共重合体 ,  光起電力