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J-GLOBAL ID：201702250421587632   整理番号：17A0697174

グラフェン状単分子層低く曲がっハニカムゲルマニウム膜【Powered by NICT】

Graphene-like monolayer low-buckled honeycomb germanium film

著者 (9件)： He Yezeng (School of Materials Science and Engineering, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, People’s Republic of China) ,  He Yezeng (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, Shandong University, Jinan 250061, People’s Republic of China) ,  Luo Haibo (School of Materials Science and Engineering, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, People’s Republic of China) ,  Li Hui (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials, Ministry of Education, Shandong University, Jinan 250061, People’s Republic of China) ,  Sui Yanwei (School of Materials Science and Engineering, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, People’s Republic of China) ,  Wei Fuxiang (School of Materials Science and Engineering, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, People’s Republic of China) ,  Meng Qingkun (School of Materials Science and Engineering, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, People’s Republic of China) ,  Yang Weiming (School of Materials Science and Engineering, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, People’s Republic of China) ,  Qi Jiqiu (School of Materials Science and Engineering, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221116, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 463  ページ： 187-193  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子動力学シミュレーションはナノスリットに閉じ込められた二次元液体ゲルマニウムの冷却過程を調べるために実施した。結果は,液体ゲルマニウムは温度の降下に伴って単層ハニカム膜に著明な液体-固体相転移を受け,ポテンシャルエネルギー,原子体積,配位数と横方向の動径分布関数の急激な変化を伴うことを明確に示した。凝固プロセスの間に,いくらかの六方晶系原子島は最初に無秩序化した液膜に出現するランダム,成長し続けている安定な結晶粒まで成長し,最終的に一緒に接続ハニカム多結晶膜を形成した。ハニカムゲルマニウム膜は,低い座屈し,平面グラフェンから全く異なることは注目に値する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 配位数 ,  *グラフェン ,  動径分布関数 ,  二次元 ,  液膜 ,  *単分子層 ,  凝固 ,  *ゲルマニウム ,  ポテンシャルエネルギー ,  六方晶系 ,  多結晶 ,  ナノスリット ,  分子動力学シミュレーション ,  固相変態 ,  エネルギー ,  力学量
準シソーラス用語： 無秩序化 ,  固相転移 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A1計算機シミュレーション ,  A3原子層エピタクシー ,  B1ゲルマニウムけい素合金 ,  B2半導性ゲルマニウム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  単分子層 ,  ゲルマニウム