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J-GLOBAL ID：201702251068189624   整理番号：17A0400961

Ge成長速度の影響とSi(100)基板上のC Geドットの形成に及ぼす温度【Powered by NICT】

Effects of Ge growth rate and temperature on C-mediated Ge dot formation on Si (100) substrate

著者 (4件)： Satoh Yuhki (Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan) ,  Itoh Yuhki (Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan) ,  Kawashima Tomoyuki (Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan) ,  Washio Katsuyoshi (Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 621  ページ： 42-46  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge成長速度と成長温度の効果をSi(100)基板上のGe量子ドット(QD)のCで仲介される生成について検討した。試料は固体源分子ビームエピタクシーにより調製した。Geドットはスケールダウンし,ドット密度は約2nm/minまでのGe成長速度の増加と共に増加し,ドットサイズと密度はを超えると飽和した。Ge成長温度の効果は,遅いGe成長速度で強いが,高速Ge成長速度で鈍感であった。結果として,約25nmの最小平均ドット直径と約1.1×10~11cm~ 2の最大ドット密度は450°Cの成長温度で得られた。これらの結果は,速い成長速度または低成長温度のGe成長条件は,Ge吸着原子の核形成確率を増加させるために効果的に作用し,その結果C表面再構成の効果を最大化することにより,Ge QDを形成することが可能であることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： MBE成長 ,  *成長速度 ,  核形成 ,  高速度 ,  表面再構成 ,  量子ドット ,  *ゲルマニウム
準シソーラス用語： 吸着原子 ,  成長条件 ,  スケールダウン ,  成長温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 分子ビームエピタクシー(MBE) ,  Si ,  炭素 ,  Geドット ,  仲介成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  成長速度 ,  Si ,  ドット