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J-GLOBAL ID：201702251095590086   整理番号：17A0162573

INP DHBTプロセスに基づく140GHZのモノリシック電力増幅器を開発した。【JST・京大機械翻訳】

140 GHz Monolithic Power Amplifiers in InP DHBT Technology

著者 (8件)： Cheng Wei (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Sun Yan (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Wang Yuan (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Lu Haiyan (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Chang Long (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute) ,  Li Xiao (University of Electronic Science and Technology of China) ,  Zhang Yong (University of Electronic Science and Technology of China) ,  Xu Ruimin (University of Electronic Science and Technology of China)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 36  号： 5  ページ： Inside Back Cover  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： INP二重ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(INPDHBT)は,周波,,などの利点があり,サブミリ/テラヘルツ導波路の成功率の応用において独特な利点がある。南京の電子装置研究所では、76.2MMINPDHBT円板技術に基づいて、国内で初めて140GHZの単片集の成功率増幅器を開発し、この回路は多層配線技術を用いて低損失の薄膜誘電体マイクロストリップ線路を実現した。回路トポロジーにおいて,4段の増幅器構造を採用して,4つのエミッタ幅0.5ΜMの単一とを用いて,チップの面積は約2.0MM×1.9MMであった。図1にこの回路の小信号Sパラメータシミュレーションと実測結果の比較を示す。図2にこの回路の電力特性試験結果を示し,140GHZでの電力利得は約14DB,飽和出力は13DBMであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電力 ,  導波路 ,  円板 ,  *電力増幅器 ,  *増幅器 ,  HBT【トランジスタ】 ,  多層配線 ,  テラヘルツ波 ,  マイクロストリップ線路 ,  電子装置
準シソーラス用語： Sパラメータ ,  回路トポロジー ,  南京市 ,  成功率 ,  *DHBT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： InP ,  DHBT ,  プロセス ,  電力増幅器 ,  開発