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J-GLOBAL ID：201702251117051286   整理番号：17A0276141

10kW GaNベース高電力密度の3相インバータの設計【Powered by NICT】

Design of a 10 kW GaN-based high power density three-phase inverter

著者 (8件)： Li He (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Zhang Xuan (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Zhang Zhengda (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Yao Chengcheng (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Qi Feng (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Hu Boxue (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Wang Jin (Center for High Performance Power Electronics, The Ohio State University, Columbus, OH, USA) ,  Liu Liming (ABB Corporate Research, Raleigh, NC, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ECCE  ページ： 1-8  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中電力定格二レベル三相電圧源インバータは最も一般的な電力変換システムの一つである。が,市販培地出力インバータの典型的なスイッチング周波数は十kHzに制限されている。スイッチング周波数を増加させ,新たな窒化ガリウムデバイスを用いて,システム全体の大きさを大幅に減少できる。本論文は,すべての市販のGaNパワートランジスタとそのパッケージ技術を解説した。GaN系からGS66516Tデバイスは,適当な定格と優れたパッケージ性能のために選択した。ハーフブリッジ構造を同時に低寄生インダクタンスと強い冷却能力を達成するために,この装置のために設計した。650V/60AエンハンスメントモードGaNトランジスタの動的特性化結果は,提案したハーフブリッジ構造で抽出した。包括的保護機能付ゲート駆動回路を統合した。提案した脚構造に基づいて,10kW三相インバータプロトタイプを構築し,実験波形を最後に示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： トランジスタ ,  電圧形インバータ ,  電力変換 ,  ゲート回路 ,  *電力 ,  電力トランジスタ ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： エンハンスメントモード ,  寄生インダクタンス ,  ハーフブリッジ ,  スイッチング周波数 ,  *三相 ,  *高電力密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  高電力密度 ,  3相 ,  インバータ ,  設計