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J-GLOBAL ID：201702251201122852   整理番号：17A0027121

表面パッシベーションによる高オン/オフ電流比のGe n⁺/p接合

Ge n⁺/p Junctions With High ON-to-OFF Current Ratio by Surface Passivation

著者 (4件)： Liu Tony Chi (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Ikegaya Hiroki (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Nishimura Tomonori (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Toriumi Akira (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 7  ページ： 847-850  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeのCMOSにおける大きな接合リーク電流は,当時の最も重要な問題の1つである。Ge表面が良くパッシベートされていないと,表面リーク電流が支配的になる場合がある。この短報では,10%のイットリウムでドープされたGeO₂(YGO)による十分にパッシベートされた表面のおかげで,Geのn⁺/p接合は,SiO₂でパッシベートされたものよりも漏れがずっと少なく,3×10⁶以上の1Vでのオン/オフ電流比を達成した。筆者らの結果は,これまでに報告された高い接合リーク電流が本質的でなく,さらにGeのn⁺/p接合でリーク電流の低減が可能であることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  半導体 ,  漏れ電流 ,  イットリウム ,  *不動態化 ,  表面 ,  酸化ゲルマニウム ,  ドーピング ,  CMOS
準シソーラス用語： *Ge ,  リーク電流 ,  *パッシベーション ,  二酸化ゲルマニウム ,  ドープ

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (3件)： パッシベーション ,  高 ,  Ge