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J-GLOBAL ID：201702251228728354   整理番号：17A0549496

Al₂O₃/Hf_xSi_1-xO₂/SiO₂ スタックにおけるインプラント重水素に関する原子プローブトモグラフィー研究

Atom Probe Tomographic Study on Implanted Deuterium in Al₂O₃/Hf_xSi_1-xO₂/SiO₂ Stacks

著者 (9件)： TU Y. (Tohoku Univ.) ,  HAN B. (Tohoku Univ.) ,  SHIMIZU Y. (Tohoku Univ.) ,  KUNIMUNE Y. (Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.) ,  SHIMADA Y. (Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.) ,  INOUE M. (Renesas Electronics Corp.) ,  INOUE K. (Tohoku Univ.) ,  NAGATA S. (Tohoku Univ.) ,  NAGAI Y. (Tohoku Univ.)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15p-P14-7  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 酸化アルミニウム ,  二酸化ケイ素 ,  酸化ハフニウム ,  *誘電体薄膜 ,  多層膜 ,  *重水素 ,  *イオン注入 ,  *トモグラフィー
準シソーラス用語： *high-k膜 ,  原子プローブトモグラフィー

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Al2O3 ,  SiO2 ,  スタック ,  インプラント ,  重水素 ,  原子プローブトモグラフィー ,  研究