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J-GLOBAL ID：201702251294874910   整理番号：17A0347939

豊富結晶成長INP単結晶の結晶欠陥と物理的特性【JST・京大機械翻訳】

Crystal Defects and Physical Properties of the InP Single Crystal Grown from Indium Rich Melts

著者 (7件)： Han Yingkuan (School of Electronic and Information Engineering, Hebei University of Technology) ,  Yang Ruixia (School of Electronic and Information Engineering, Hebei University of Technology) ,  Sun Niefeng (Science and Technology on ASIC Laboratory, The 13th Research Institute, CETC) ,  Wang Shujie (Science and Technology on ASIC Laboratory, The 13th Research Institute, CETC) ,  Wang Yang (Science and Technology on ASIC Laboratory, The 13th Research Institute, CETC) ,  Li Xiaolan (Science and Technology on ASIC Laboratory, The 13th Research Institute, CETC) ,  Sun Tongnian (Science and Technology on ASIC Laboratory, The 13th Research Institute, CETC)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 41  号： 12  ページ： 939-944  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Lin注入法を用いてLin注入法を合成し,封じ封じ(LEC)により成長させ,インゴットを配向させ,研磨し,研磨し,INPウエハを得た。光学顕微鏡,走査型電子顕微鏡,走査型電子顕微鏡(SEM),走査型電子顕微鏡(SEM),高分解能X線回折(XRD)を用いて,INP/INP単結晶試料の特性を研究した。結果により、豊富条件下で成長したINP単結晶は豊富の介在物が出現し、この豊富介在物はその周囲の転位密度の上昇をもたらし、同時に豊富内の介在物の分布も不均一であり、ウエハの中心部分の豊富介在物の密度が高く、エッジ部の密度が低いことが分かった。豊富介在物の形成と不均一分布の理由を分析し,PLスペクトルのピーク値に及ぼす豊富介在物の影響を議論した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 介在物 ,  *結晶成長 ,  ピーク値 ,  走査電子顕微鏡 ,  転位密度 ,  *格子欠陥 ,  X線回折 ,  インゴット ,  *単結晶 ,  光学顕微鏡 ,  高分解能X線回折
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル ,  不均一分布 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： InP ,  liquid encapsulated czochralski (LEC) method ,  crystal growth ,  indium inclusion ,  photoluminescence mapping (PL-Mapping)

分類 (1件)： 機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶成長 ,  InP ,  単結晶 ,  結晶欠陥 ,  物理的特性