文献

J-GLOBAL ID：201702251437033128   整理番号：17A0301476

単結晶シリコンウエハ上の押込転位運動に及ぼす重Can硼の影響を調べた。【JST・京大機械翻訳】

Effect of Heavy Boron-doping on Motion of Indentation Dislocations on Silicon Wafers

著者 (4件)： Zhao Zegang (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials and Engineering,Zhejiang University) ,  Zhao Jian (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials and Engineering,Zhejiang University) ,  Ma Xiangyang (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials and Engineering,Zhejiang University) ,  Yang Deren (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials and Engineering,Zhejiang University)
資料名： Cailiao Kexue Yu Gongcheng Xuebao  (Cailiao Kexue Yu Gongcheng Xuebao)
巻： 34  号： 3  ページ： 345-347,361  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2657A  ISSN： 1673-2812  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 軽Can硼(1.5×10(16)CM(-3))と重Can硼(1.2×10(20)CM(-3))の残留応力分布とナノインデンテーション転位が900°Cでの滑りを研究した。研究により;重Can硼の周囲の残留応力と応力場は,軽のものよりかなり小さかった。900°Cで熱処理すると,軽転位での押込転位は著しい滑りを生じ,一方,ドープでは,滑りはほとんど起こらなかった。一方、重Can硼は単結晶シリコンの押込破壊靭性を低下させ、側の亀裂サイズを増大させ、より多くの応力を放出させ、それによって押込の残留応力を小さくする。一方,重Can硼は転位に対して明らかなピン止め効果を持ち,転位の滑りにより大きな応力駆動を必要とする。これらの両方の効果は,重の押込転位をほとんど滑りさせないと考えられる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *残留応力 ,  ナノインデンテーション ,  破壊靱性 ,  応力場 ,  亀裂 ,  ドーピング
準シソーラス用語： ピン止め効果 ,  *単結晶シリコン ,  *転位運動 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Silicon wafer ,  heavy boron-doping ,  dislocation gliding

分類 (2件)： 金属材料  (HC05020S) ,  熱的操作によらぬ硬化  (WC04080O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単結晶シリコンウエハ ,  押込 ,  転位運動 ,  Can