文献

J-GLOBAL ID：201702251459080125   整理番号：17A0407389

低Gilbert減衰を用いたnm厚さのイットリウム鉄ガーネット膜の化学的エピタキシャル成長【Powered by NICT】

Chemical epitaxial growth of nm-thick yttrium iron garnet films with low Gilbert damping

著者 (11件)： Zhang Dainan (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology, Chengdu, 610054, People’s Republic of China) ,  Zhang Dainan (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Delaware, Newark, DE, 19716, USA) ,  Jin Lichuan (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology, Chengdu, 610054, People’s Republic of China) ,  Zhang Huaiwu (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology, Chengdu, 610054, People’s Republic of China) ,  Yang Qinghui (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology, Chengdu, 610054, People’s Republic of China) ,  Rao Yiheng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology, Chengdu, 610054, People’s Republic of China) ,  Wen Qiye (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology, Chengdu, 610054, People’s Republic of China) ,  Zhou Tingchuan (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology, Chengdu, 610054, People’s Republic of China) ,  Liu Cheng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology, Chengdu, 610054, People’s Republic of China) ,  Zhong Zhiyong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology, Chengdu, 610054, People’s Republic of China) ,  Xiao John Q. (Department of Physics and Astronomy, University of Delaware, Newark, Delaware 19716, USA)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 695  ページ： 2301-2305  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非常に低い減衰定数を持つナノメータ厚Y_3Fe_5O_12(YIG)膜を化学有機金属分解法を用いたガドリニウムガリウムガーネット基板上に作製した。微細構造とYIG薄膜の強磁性特性の両方を研究した。高分解能X線回折の結果は,YIG膜のエピタキシャル構造をdisplaid。表面形態を原子間力顕微鏡を用いて調べた。平均表面粗さは~50nm厚エピタキシャル成長YIG膜の約0.8±0.2nmであり,これはパルスレーザ堆積で成長させた膜の結果と同等である。YIG膜の保磁力は約1.5Oeであった。さらに,磁化動力学特性をコプレーナ導波路ベクトルネットワークアナライザ強磁性共鳴分光計を用いて研究した。抽出された減衰定数は1.4×10~ 3と低かった。結果は高品質ナノメータYIG膜を化学エピタキシャル成長法により得られることを示した。ガーネットベースのスピントロニクス応用に非常に有用である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *イットリウム鉄ガーネット ,  原子間力顕微鏡 ,  コプレーナ導波路 ,  強磁性 ,  *エピタクシー ,  パルスレーザ蒸着 ,  ガドリニウムガリウムガーネット ,  強磁性共鳴 ,  減衰定数 ,  スピントロニクス ,  保磁力
準シソーラス用語： ベクトルネットワークアナライザ ,  表面形態 ,  MOD法 ,  ナノメータ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： イットリウム鉄ガーネット膜 ,  エピタキシャル成長 ,  強磁性共鳴線幅 ,  Gilbert減衰

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： Gilbert減衰 ,  厚さ ,  イットリウム鉄ガーネット ,  化学 ,  エピタキシャル成長