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J-GLOBAL ID：201702251529101666   整理番号：17A0214307

実質的無制限耐久性を用いたサブ10nmに埋め込まれたSTT-MRAMのための2x nm直径の垂直MTJアレイとMgO障壁の系統的検証【Powered by NICT】

Systematic validation of 2x nm diameter perpendicular MTJ arrays and MgO barrier for sub-10 nm embedded STT-MRAM with practically unlimited endurance

著者 (14件)： Kan J. J. (Qualcomm Technologies, Inc., San Diego, California 92121, USA) ,  Park C. (Qualcomm Technologies, Inc., San Diego, California 92121, USA) ,  Ching C. (Applied Materials, Inc., Sunnyvale, California 94085, USA) ,  Ahn J. (Applied Materials, Inc., Sunnyvale, California 94085, USA) ,  Xue L. (Applied Materials, Inc., Sunnyvale, California 94085, USA) ,  Wang R. (Applied Materials, Inc., Sunnyvale, California 94085, USA) ,  Kontos A. (Applied Materials, Inc., Sunnyvale, California 94085, USA) ,  Liang S. (Applied Materials, Inc., Sunnyvale, California 94085, USA) ,  Bangar M. (Applied Materials, Inc., Sunnyvale, California 94085, USA) ,  Chen H. (Applied Materials, Inc., Sunnyvale, California 94085, USA) ,  Hassan S. (Applied Materials, Inc., Sunnyvale, California 94085, USA) ,  Kim S. (Qualcomm Technologies, Inc., San Diego, California 92121, USA) ,  Pakala M. (Applied Materials, Inc., Sunnyvale, California 94085, USA) ,  Kang S. H. (Qualcomm Technologies, Inc., San Diego, California 92121, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 27.4.1-27.4.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1ギガビットアレイにおける直径70~25nmから垂直磁気トンネル接合(pMTJs)における障壁信頼性の最初の統計的考慮を提供することにより,サブ10nm CMOSにおける高性能用途のための包括的デバイスとスケーラビリティ検証STT-MRAMを示した。時間依存絶縁破壊(TDDB)特性と電圧,極性,デューティサイクル,および温度にpMTJ寿命の依存性を実験的に調べた。>1V(>20 σavg)の大きな書込みに破壊電圧窓を測定し,長いブレークダウンに至る時間を,45nm pMTJsに対する射影(>10~15サイクル),高い書き込み耐性を保証した。も直径25nmまでのスケーリングpMTJサイズと共に障壁信頼性の劇的な増強を明らかにし,さらに非常にスケーリングされたノードで操作ウィンドウを拡大。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  *酸化マグネシウム ,  射影 ,  時間依存性 ,  極性 ,  絶縁破壊 ,  信頼性 ,  *耐久性 ,  CMOS
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  デューティサイクル ,  TDDB ,  磁気トンネル接合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (11件)： 制限 ,  サブ ,  STT-MRAM ,  直径 ,  垂直 ,  MTJ ,  アレイ ,  MgO ,  障壁 ,  系統 ,  検証