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J-GLOBAL ID：201702251541107280   整理番号：17A0509776

遅い磁気緩和挙動を示す3次元配位ポリマー中への1Dまたは2Dコバルト-カルボキシラート反応物の埋め込み:結晶構造,高磁場EPR,および磁性研究

Embedding 1D or 2D cobalt-carboxylate substrates in 3D coordination polymers exhibiting slow magnetic relaxation behaviors: crystal structures, high-field EPR, and magnetic studies

著者 (9件)： Mao Nannan (Key laboratory of Material Chemistry for Energy Conversion and Storage, School of Chemistry and Chemical Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, Hubei 430074, PR China. [e-mail]) ,  Zhang Biquan ,  Yu Fan ,  Chen Xi ,  Zhuang Gui-lin ,  Wang Zhenxing ,  Ouyang Zhongwen ,  Zhang Tianle ,  Li Bao
資料名： Dalton Transactions  (Dalton Transactions)
巻： 46  号： 14  ページ： 4786-4795  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0270A  ISSN： 1477-9226  CODEN： DTARAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1H-イミダゾール-4,5-ジカルボン酸から誘導された良く設計された二官能性配位子を利用することにより,低温領域で遅い磁気緩和を示す磁性配位ポリマー(CP)を構築し,さらに構造的に特徴付けた。1では,1Dコバルト-カルボキシル鎖は最終構造において安定化された。対照的に,イミダゾール-4,5-ジカルボン酸上の置換アームの長さを調節することにより,2D6³コバルト-カルボキシル層を含む新規な3D CP,2が得られた。量子モンテカルロ(QMC)シミュレーションと第一原理密度汎関数理論(DFT)計算の組み合わせは,化合物2がsyn-antiカルボキシラート架橋に関する-/+/-と,syn-synカルボキシラート架橋に関する-/-/-の,2つの異なる超交換経路を有する弱い強磁性および反強磁性カップリング機構を特徴とすることを示した。60~260GHzの周波数範囲と0~12Tの磁場範囲にわたり多結晶サンプルに対して行ったHF-EPR測定により,1と2の有効g値はすべて2.00より大きく,それらのD値の符号はおそらく正であった。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *磁気緩和 ,  *配位高分子 ,  *コバルト錯体 ,  *カルボン酸塩 ,  *埋込み【挿入】 ,  *結晶構造 ,  *ESR【磁気共鳴】 ,  *磁性 ,  シミュレーション ,  計算 ,  強磁性 ,  反強磁性 ,  アクア錯体 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： モンテカルロシミュレーション ,  第一原理計算

分類 (2件)： コバルトとニッケルの錯体  (CE01092Y) ,  有機化合物の磁性  (BM06070A)

物質索引 (1件)： 1H-イミダゾール-4,5-ジカルボン酸

タイトルに関連する用語 (15件)： 磁気緩和 ,  挙動 ,  3次元 ,  配位ポリマー ,  1D ,  2D ,  コバルト ,  カルボキシラート ,  反応物 ,  埋め込み ,  結晶構造 ,  高磁場 ,  EPR ,  磁性 ,  研究