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J-GLOBAL ID:201702251542983591   整理番号:17A0052851

エレクトロマイグレーションと熱応力の結合した影響の下でのマイクロボールグリッドアレイ(μBGA)はんだ接合部の劣化挙動

Degradation behaviors of micro ball grid array (μBGA) solder joints under the coupled effects of electromigration and thermal stress
著者 (6件):
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巻: 27  号: 11  ページ: 11583-11592  発行年: 2016年11月 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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実際のマイクロボールグリッドアレイ(μBGA)パッケージの複雑な構成のために,その高電流密度応用において,種々の物理故障機構が混在する。エレクトロマイグレーションと熱応力関連の影響を考慮することによって,実際のμBGAはんだ接合部の劣化挙動を120°Cで1×104Acm-2の電流密度で研究した。実験結果から,狭いオンチップ金属配線において,厳しい電流集中とオープン故障が発生することが示唆された。電流集中領域では,熱応力誘起応力マイグレーションと結合したエレクトロマイグレーションの下で,Niバンプ下地金属が溶解し,狭いCu配線は,支配的なエレクトロマイグレーションによって消費された。一方,Sn及びPb原子は,Cu及びNiの移動によって形成された空孔を埋め戻した。ジュール熱誘起温度が上昇すると,逆応力が解放され,埋め戻されたSn原子及びPb原子が移動して,最終的にはオープン故障となる。付け加えると,極性効果のために,アノード側での樹枝状(Cu,Ni)6Sn5化合物の過剰な成長も,マイクロエレクトロニクスデバイス故障の原因となる可能性があった。Copyright 2016 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性 

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