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J-GLOBAL ID:201702251577566851   整理番号:17A0749461

100fW cm~ 2光トラップされた電子ゲート有機フォトトランジスタを検出【Powered by NICT】

Detecting 100 fW cm-2 Light with Trapped Electron Gated Organic Phototransistors
著者 (3件):
資料名:
巻: 29  号:ページ: ROMBUNNO.201603969  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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固体と冷却自由光検出器による極微弱光検出は基本的研究および実用的応用の両方にとって重要である。室温で100fW cm~ 2までの紫外-可視光を検出する一般的なフォトトランジスタアーキテクチャを実証した。例外的な感度は入射光により誘発された増幅過程に由来する。≒10~7A W~ 1の応答性を達成した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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炭素とその化合物 
タイトルに関連する用語 (4件):
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