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J-GLOBAL ID：201702251669931219   整理番号：17A0388923

高い素子歩留りと性能を改良した有機三元記憶を達成するための表面工学【Powered by NICT】

Surface engineering to achieve organic ternary memory with a high device yield and improved performance

著者 (10件)： Hou Xiang (College of Chemistry, Chemical Engineering and Materials Science, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, National United Engineering Laboratory of Functionalized Environmental Adsorption Materials, Soochow University, Suzhou 215123, PR China. jinghhe@suda.e...) ,  Xiao Xin ,  Zhou Qian-Hao ,  Cheng Xue-Feng ,  He Jing-Hui ,  Xu Qing-Feng ,  Li Hua ,  Li Na-Jun ,  Chen Dong-Yun ,  Lu Jian-Mei
資料名： Chemical Science (Web)  (Chemical Science (Web))
巻： 8  号： 3  ページ： 2344-2351  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7042A  ISSN： 2041-6539  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホスホン酸で修飾した酸化インジウムスズ(ITO)基板上に堆積したスクアライン分子は結晶化し無処理ITO上のものよりもより規則的。作製した抵抗メモリは今(82%),狭いスイッチング電圧分布,良好な保持だけでなく抵抗均一性に観察された最も高い三元素子収率を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶化 ,  ホスホン酸 ,  スイッチング ,  酸化インジウムスズ ,  *歩留り
準シソーラス用語： 抵抗メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  発光素子  (NC03082G) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (2件)： 歩留り ,  表面工学