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J-GLOBAL ID：201702251686076844   整理番号：17A0482486

正交換バイアスを有するCr₂O₃/Pt/Co薄膜系における横方向強磁性磁区の制御

Control of lateral ferromagnetic domains in Cr₂O₃/Pt/Co thin film system with positive exchange bias

著者 (5件)： Nozaki Tomohiro (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Al-Mahdawi Muftah (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Pati Satya Prakash (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Ye Shujun (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Sahashi Masashi (Department of Electronic Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 13  ページ： 132408-132408-5  発行年： 2017年03月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 磁性体 ,  バイアス ,  酸化クロム ,  白金 ,  コバルト ,  多層膜 ,  *強磁性 ,  *磁区 ,  磁気ヒステリシス ,  磁化特性 ,  *磁性薄膜
準シソーラス用語： 交換バイアス ,  交換バイアス磁性体

分類 (1件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 交換バイアス ,  Cr2O3 ,  Pt ,  CO ,  薄膜 ,  横方向 ,  強磁性 ,  磁区