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J-GLOBAL ID：201702251688072424   整理番号：17A0303374

高指数銅表面上の大面積整列した五角形グラフェン分域の成長【Powered by NICT】

Growth of large-area aligned pentagonal graphene domains on high-index copper surfaces

著者 (7件)： Xia Kailun (Department of Chemistry, Tsinghua University) ,  Artyukhov Vasilii I (Deportment of Materials Science and Nano Engineering, Rice University) ,  Sun Lifei (Department of Chemistry, Tsinghua University) ,  Zheng Jingying (Department of Chemistry, Tsinghua University) ,  Jiao Liying (Department of Chemistry, Tsinghua University) ,  Yakobson Boris I (Deportment of Materials Science and Nano Engineering, Rice University) ,  Zhang Yingying (Department of Chemistry, Tsinghua University)
資料名： Nami Yanjiu  (Nami Yanjiu)
巻： 9  号： 7  ページ： 2182-2189  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2652A  ISSN： 1998-0124  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学気相堆積(CVD)により成長させた単結晶グラフェンドメインは本質的に六回対称性を持つ傾向がある;がいくつかの因子は成長速度,それは異なる形状を持つグラフェンの形成に導くことができるに影響する可能性がある。ここでは,CVDによるCu箔上の配向した大面積五角形単結晶グラフェン分域の成長を報告した。著者らは,高屈折率Cu面が五角形グラフェンの形成に選択的に寄与していることを見出した。著者らの結果は,根底にあるCuの結晶表面に存在する格子ステップはステップに垂直な方向におけるグラフェンの成長を促進し,最終的に五角形を形成するエッジの一つの消失をもたらすことを示した。添加では,水素は五角形ドメインの形成を促進した。本研究はグラフェン成長の機構への新しい洞察を提供する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *分域 ,  成長速度 ,  アラインメント ,  化学蒸着 ,  銅箔 ,  水素 ,  単結晶 ,  *銅 ,  *グラフェン ,  対称性
準シソーラス用語： 結晶表面 ,  高屈折率 ,  *大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 五角形グラフェン ,  銅箔 ,  高屈折率面 ,  化学蒸着 ,  大面積

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 指数 ,  銅 ,  大面積 ,  整列 ,  五角形 ,  グラフェン ,  分域 ,  成長