文献

J-GLOBAL ID：201702251740077196   整理番号：17A0067381

RASHBAスピン-軌道結合における二次元バイポーラロンの基底状態特性を考察した。【JST・京大機械翻訳】

Properties of the ground state of two-dimensional bipolaron with Rashba spin-orbit coupling

著者 (3件)： Wuyunqimuge (College of Physics and Electronic Information, Inner Mongolia University for Nationalities) ,  Xin Wei (Department of Physics, Hebei Normal University of Science & Technology) ,  Eerdunchaolu (Department of Physics, Hebei Normal University of Science & Technology)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 65  号： 17  ページ： 177801-01-177801-08  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： RASHBAスピン-軌道結合効果を考慮して、LEE-LOW-PINES変換に基づき、PEKAR型変分法を用いて、量子ドット中のバイポーラロンの基底状態性質を研究した。数値結果によると、電子-フォノン結合(カップリング定数Α>6)条件下で、量子ドット中に安定な偏波構造を形成する条件(結合エネルギーE_B>0)は自然に満たされる。バイポーラロンの結合エネルギーE_Bは,量子ドットのΩ_0と誘電体の誘電率がΗと電子-フォノン結合強度Αの増加とともに増加し,RASHBAスピン-軌道結合定数Α_Rの増加とともに直線的に増加し,二つの逆相が減少することを示した。RASHBA効果はバイポーラロンの基底状態エネルギーをE(↑↑、E(↓↓)とE(↑↓の三つの準位に分割し、それぞれ二電子のスピン配向が「上」、「下方」、「逆」の三つの状況に対応する。基底状態エネルギーの絶対値は,ΗとΑの増加とともに増加し,Α_Rの増加とともに直線的に増加し,2つの逆の場合は減少した。バイポーラロンの基底状態エネルギーEにおいて,電子-フォノン結合の占有率は,スピン-軌道結合エネルギーの比率よりも大きく,電子-フォノン結合とRASHBAスピン-軌道結合の間の相互作用は,著しく影響した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *二次元 ,  フォノン ,  量子ドット ,  絶対値 ,  結合エネルギー ,  *バイポーラロン ,  付着強さ ,  電子-フォノン相互作用 ,  占有率 ,  *基底状態 ,  結合定数 ,  誘電率 ,  変分法 ,  スピン整列
準シソーラス用語： *L-S結合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： narrow-gap II-VI heterojunction ,  bipolaron ,  Rashba spin-obit coupling ,  ground-state energy

分類 (2件)： ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  電子構造一般  (BM02010K)

タイトルに関連する用語 (4件)： スピン ,  軌道 ,  バイポーラロン ,  基底状態