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J-GLOBAL ID：201702251865119708   整理番号：17A0471593

シリコンとカプトン基板上に蒸着したTi下部電極上の(002)配向AlN薄膜の成長評価【Powered by NICT】

Growth assessment of (002)-oriented AlN thin films on Ti bottom electrode deposited on silicon and kapton substrates

著者 (7件)： Signore M.A. (Italian National Research Council, Institute for Microelectronics and Microsystems, 73100 Lecce, Italy) ,  Taurino A. (Italian National Research Council, Institute for Microelectronics and Microsystems, 73100 Lecce, Italy) ,  Catalano M. (Italian National Research Council, Institute for Microelectronics and Microsystems, 73100 Lecce, Italy) ,  Kim M. (Dep. of Materials Science and Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080, USA) ,  Che Z. (Dep. of Materials Science and Engineering, University of Texas at Dallas, Richardson, TX 75080, USA) ,  Quaranta F. (Italian National Research Council, Institute for Microelectronics and Microsystems, 73100 Lecce, Italy) ,  Siciliano P. (Italian National Research Council, Institute for Microelectronics and Microsystems, 73100 Lecce, Italy)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 119  ページ： 151-158  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,チタン(Ti)ボトム電極上に(002)配向した窒化アルミニウム(AlN)薄膜の達成を可能にするスパッタリング堆積条件をシリコンとカプトン基板上に評価した。AlN結晶粒方位はTi堆積,特に蒸着チャンバ中でTiターゲットと全圧に適用された無線周波数(RF)電力に用いた条件を調整することによって増強された。基板へのスパッタ種エネルギーとそれらのフラックスは両基板上のTi構造と形態を説明するために,AlN結晶化過程を駆動するかを理解するために重要なパラメータとして同定した。単一Ti膜の形態と構造とAlN/Ti系の進化をX線回折,走査型電子顕微鏡と透過型電子顕微鏡によって特性化した。下のTi層は主に(002)配向したとき高度に配向したAlN膜が両方の基板上に得られた;(100)方位の結晶粒のTi膜の存在は,両基板上に,表面形態の有意な変化をもたらす,AlN成長における方位差の程度を生成した。カプトン基板上にAlN/Tiの成功裏の蒸着はフレキシブル圧電エレクトロニクスにおけるこの材料の統合のための有望な結果を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線回折 ,  結晶粒 ,  電力 ,  *窒化アルミニウム ,  走査電子顕微鏡 ,  圧電気 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *ケイ素 ,  電子技術 ,  スパッタ蒸着 ,  キャラクタリゼーション ,  *チタン ,  表面形態

著者キーワード (6件)： 窒化アルミニウム ,  マグネトロンスパッタリング ,  フレキシブル基板 ,  X線回折 ,  走査型電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡観察

分類 (2件)： 金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V) ,  肉盛  (WC07060N)

タイトルに関連する用語 (9件)： シリコン ,  カプトン ,  蒸着 ,  Ti ,  配向 ,  AlN ,  薄膜 ,  成長 ,  評価