文献

J-GLOBAL ID：201702251913465984   整理番号：17A0365963

AgNbO_3ベース鉛フリーセラミックの結晶構造と電気的性質【Powered by NICT】

Crystal structure and electrical properties of AgNbO₃-based lead-free ceramics

著者 (6件)： Xu Yonghao (School of Physics and Electronic Information Engineering, Henan Polytechnic University, Jiaozuo 454003, China) ,  Wang Guodong (School of Physics and Electronic Information Engineering, Henan Polytechnic University, Jiaozuo 454003, China) ,  Tian Ye (Electronic Materials Research Laboratory, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Yan Yangxi (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China) ,  Liu Xiaolian (School of Physics and Electronic Information Engineering, Henan Polytechnic University, Jiaozuo 454003, China) ,  Feng Yujun (Electronic Materials Research Laboratory, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 16  ページ： 18791-18797  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無鉛ペロブスカイトセラミック(1 x)(Ag_0 0.96Na_0.04)NbO_3 xKNbO_3(x=0.00~0.10)はO_2気流中で固相反応法により合成し,K含有量の構造と電気的性質の変化を調査した。X線回折は,相転移がバージン反強誘電状態から生じるにx=0~0.04で強誘電相であることを明らかにした。組成ではx≦0.04,誘電特性はKのドーピングレベルが増加するとM_1-M_2_-M_3およびM_O_1の相転移温度が低温側にシフトすることを示した。組成はx<0.04をK濃度の増加と共に残留分極Pr,Rの増加と共に二重ヒステリシスループを示した。分極ヒステリシスループは,温度での温度誘導M_1-M_2相転移を検証120°C組成x=0.04まで評価した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 固相反応 ,  転移温度 ,  *結晶構造 ,  X線回折 ,  低温 ,  *電気的性質 ,  相転移 ,  *セラミック ,  残留分極 ,  気流 ,  誘電性
準シソーラス用語： 分極ヒステリシス ,  ヒステリシスループ ,  *鉛フリー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AgNbO_3ベース ,  ニオブ酸銀 ,  反強誘電性 ,  相転移 ,  Kドーピング

分類 (3件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 鉛フリー ,  セラミック ,  結晶構造 ,  電気的性質