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J-GLOBAL ID：201702251962131055   整理番号：17A0733798

SI(001)エピタキシャルZNSE薄膜の界面原子の結合と結合【JST・京大機械翻訳】

Donding of interfaces atoms in epitaxial growth of ZnSe thin films on Si(001) substrate

著者 (4件)： CHEN Liangyan (Department of Electronic Science and Technology, Huazhong University of Science and Technology) ,  ZHANG Daoli (Department of Electronic Science and Technology, Huazhong University of Science and Technology) ,  ZHAI Guangmei (Department of Electronic Science and Technology, Huazhong University of Science and Technology) ,  ZHANG Jianbing (Department of Electronic Science and Technology, Huazhong University of Science and Technology)
資料名： Dianzi Yuanjian yu Cailiao  (Dianzi Yuanjian yu Cailiao)
巻： 28  号： 8  ページ： 66-70  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2506A  ISSN： 1001-2028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論に基づく第一原理計算に基づき、SI(001)と窒化SI(001)表面の単層ZN/SE原子の結合方式により、ZNSEエピタキシャル薄膜の二次元成長モデルをシミュレーションした。単層原子の結合エネルギー、界面原子の電子の損得、共有結合の結合の角度からZN/SEの原子表面の接着性の問題を説明し、薄膜の成長初期の界面に非晶質のSEの出現などの現象を説明し、窒化SI(001)表面が薄膜の二次元の均一成長に対する作用を分析した。結果により、Nの導入はSI基質の非極性共有結合とZNSE原子間の極性イオン結合の間のヘテロ差異を緩和した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  非極性 ,  *エピタクシー ,  非晶質 ,  極性 ,  結合エネルギー ,  *薄膜 ,  二次元 ,  窒化 ,  イオン結合 ,  共有結合 ,  *界面 ,  単一層 ,  計算
準シソーラス用語： 二次元成長 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： first principle ,  bonding energy ,  covalent bond ,  ZnSe thin films

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  エピタキシャル ,  ZnSe ,  薄膜 ,  界面 ,  原子