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J-GLOBAL ID：201702252016704690   整理番号：17A0068655

希土類錯体の単一分子磁石の研究進展【JST・京大機械翻訳】

Research progress on the single-molecule magnets of Lanthanide complexes

著者 (4件)： Dong Piaoping (School of Metallurgy and Chemical Engineering,Jiangxi University of Science and Technology) ,  Liang Fuyong (School of Metallurgy and Chemical Engineering,Jiangxi University of Science and Technology) ,  Zou Zhenggang (School of Metallurgy and Chemical Engineering,Jiangxi University of Science and Technology) ,  Wen Herui (School of Metallurgy and Chemical Engineering,Jiangxi University of Science and Technology)
資料名： Huagong Jinzhan  (Huagong Jinzhan)
巻： 35  号： 9  ページ： 2802-2817  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2014A  ISSN： 1000-6613  CODEN： HUJIEK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 単一分子磁石は超高密度貯蔵,スピン電子デバイス,量子計算機などの分野で潜在的に応用されている。希土類イオンは高い電子スピン基底状態と強いスピン軌道結合と磁気異方性を有するため,磁性材料の調製に広く応用されている。近年、希土類イオンが単分子磁石のスピンフリップエネルギー障壁を向上させる研究が注目されており、単分子磁石の性能を有する希土類元素錯体が合成されている。本論文では、希土類錯体単分子磁石の合成、構造及び磁気研究の進展について総説し、単核、二核、三核、四核、五核及び六核希土類錯体単分子磁石の構造と磁気学的性質を重点的に紹介した。研究により、元素Diにより構築した希土類化合物単分子磁石の性能が最も良く、しかも錯体の核数が増加するにつれ、単分子磁石の特性が更に明らかになることが明らかになった。希土類錯体の単一分子磁石の研究を展望し,将来の研究は,高核希土類錯体の合成と磁気異方性エネルギー障壁の向上に焦点を合わせる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *錯体 ,  磁気異方性 ,  磁気 ,  電子スピン ,  磁性材料 ,  基底状態 ,  *希土類元素錯体 ,  量子コンピュータ ,  希土類元素化合物 ,  L-S結合 ,  希土類イオン ,  *単分子磁石
準シソーラス用語： 異方性エネルギー ,  エネルギー障壁 ,  スピンフリップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： single-molecule magnets ,  single-ion magnets ,  Lanthanide complexes ,  magnetic properties

分類 (2件)： 第3族元素の錯体  (CE01060J) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 希土類錯体 ,  単一分子磁石 ,  研究 ,  進展